Παρακαλώ χρησιμοποιείστε το ακόλουθο identifier για να παραπέμψετε σε αυτό το τεκμήριο: http://cris.lib2.uniwa.gr.gr/jspui/handle/123456789/448
Τίτλος: Tapered InAs/InGaAs quantum dot semiconductor optical amplifier design for enhanced gain and beam quality
Συγγραφείς: 
Ημερομηνία έκδοσης: 2013
Abstract: In this Letter, a design for a tapered InAs/InGaAs quantum dot semiconductor optical amplifier is proposed and experimentally evaluated. The amplifier’s geometry was optimized in order to reduce gain saturation effects and improve gain efficiency and beam quality. The experimental measurements confirm that the proposed amplifier allows for an elevated optical gain in the saturation regime, whereas a five-fold increase in the coupling efficiency to a standard single mode optical fiber is observed, due to the improvement in the beam quality factor M2 of the emitted beam.
URI: http://cris.lib2.uniwa.gr/jspui/handle/123456789/448
ISSN: 0146-9592
Εμφανίζεται στην Συλλογή:Επιστημονικές δημοσιεύσεις

Αρχεία σε αυτό την εγγραφή:
Δεν υπάρχουν διαθέσιμα αρχεία για αυτή την εγγραφή.


Τα αντικείμενα που περιλαμβάνονται στο DSpace προστατεύονται από copyright, εκτός αν δηλώνεται ρητά κάτι διαφορετικό.