Παρακαλώ χρησιμοποιείστε το ακόλουθο identifier για να παραπέμψετε σε αυτό το τεκμήριο: http://cris.lib2.uniwa.gr.gr/jspui/handle/123456789/448
DC πεδίοΤιμήΓλώσσα
dc.contributor.authorΜεσσαριτάκης, Χάρηςel_GR
dc.contributor.authorΚαψάλης, Αλέξανδροςel_GR
dc.contributor.authorΣίμος, Ηρακλήςel_GR
dc.contributor.authorΣίμος, Χρήστοςel_GR
dc.contributor.authorKrakowski, M.el_GR
dc.contributor.authorKrestinkov, Igorel_GR
dc.contributor.authorΣυβρίδης, Δημήτρηςel_GR
dc.date.accessioned2014-09-07T17:22:25Z-
dc.date.available2014-09-07T17:22:25Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.issn0146-9592-
dc.identifier.urihttp://cris.lib2.uniwa.gr/jspui/handle/123456789/448-
dc.description.abstractIn this Letter, a design for a tapered InAs/InGaAs quantum dot semiconductor optical amplifier is proposed and experimentally evaluated. The amplifier’s geometry was optimized in order to reduce gain saturation effects and improve gain efficiency and beam quality. The experimental measurements confirm that the proposed amplifier allows for an elevated optical gain in the saturation regime, whereas a five-fold increase in the coupling efficiency to a standard single mode optical fiber is observed, due to the improvement in the beam quality factor M2 of the emitted beam.el_GR
dc.format.extentσελ. 2404-2406el_GR
dc.language.isoenel_GR
dc.titleTapered InAs/InGaAs quantum dot semiconductor optical amplifier design for enhanced gain and beam qualityel_GR
dc.typeΆρθροel_GR
Εμφανίζεται στην Συλλογή:Επιστημονικές δημοσιεύσεις
Αρχεία σε αυτό την εγγραφή:
Δεν υπάρχουν διαθέσιμα αρχεία για αυτή την εγγραφή.


Τα αντικείμενα που περιλαμβάνονται στο DSpace προστατεύονται από copyright, εκτός αν δηλώνεται ρητά κάτι διαφορετικό.